氮化鎵材料 _GaN厚膜襯底_ 氮化鎵自支撐襯底-蘇州納維科技有限公司

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蘇州納維科技有限公司創(chuàng)立于2007年，以中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所為技術(shù)依托，立足于設(shè)備的自主研發(fā)，專注于從事高質(zhì)量、大尺寸氮化物材料的生長(zhǎng)與產(chǎn)品開發(fā)，為產(chǎn)業(yè)界和研發(fā)機(jī)構(gòu)提供各類氮化鎵材料，目前公司擁有核心技術(shù)專利三十余項(xiàng)，是中國(guó)首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商。

目前公司針對(duì)企業(yè)、高校和研究所的不同用戶，主要提供如下產(chǎn)品：一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜襯底(GaN/sapphire)，位錯(cuò)密度為10⁷/cm²量級(jí)，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型；二、2英寸氮化鎵自支撐襯底(free-standing GaN substrate)，厚度約0.3mm，位錯(cuò)腐蝕坑密度為10⁶/cm²量級(jí)，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型；三、小尺寸方形(邊長(zhǎng)5mm～20mm)氮化鎵襯底，位錯(cuò)腐蝕坑密度為10⁶/cm²量級(jí)，分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型，單面或者雙面拋光；四、小尺寸非極性面氮化鎵襯底，a面或者m面；五、高結(jié)晶度氮化鎵粉體材料；六、氮化鋁襯底。

蘇州納維將立足于材料生長(zhǎng)技術(shù)和設(shè)備的持續(xù)創(chuàng)新，努力在新一代顯示、節(jié)能照明、微波通訊、電力電子、醫(yī)學(xué)成像等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?yàn)橄掠慰蛻魩砗诵膬r(jià)值。

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